México, D.F. (Febrero 19 de 2008).- Toshiba Corporation anunció que ha logrado la tecnología de circuitos más rápida del mundo para DRAM (Memoria de Acceso Aleatorio Dinámico) para el Sistema LSI, y lograr así una velocidad de 833MHz a una densidad de 32Mb. La tecnología se aplicará al LSI de procesamiento de gráficos, y fue lanzada en la Conferencia Estatal de Circuitos Sólidos (ISSCC por sus siglas en inglés), realizada en San Francisco, en este mes.

Debido a que pueden leer más información a mayores velocidades que la memoria externa, las memorias DRAM se aplican a los sistemas en chips para aplicaciones de gráficos. Conforme las imágenes de video cuentan con mejores niveles de definición, se requiere mayor velocidad de procesamiento y mayores densidades.

Para lograr mayor velocidad de operación, Toshiba aplicó un “pseudo-sistema de dos puertos”, tecnología que divide virtualmente en dos la memoria total, y después lee y escribe la información en paralelo y de forma alterna. Al reemplazar el sistema de lectura y escritura serial convencional con la nueva tecnología paralela, y optimizar tales circuitos como la estructura de comando, Toshiba logró el más alto nivel de desempeño de DRAM a 32Mb, densidad hoy día aplicable a los productos.

El sistema LSI con memoria DRAM incluida tendrá aplicación en los productos de consumo digitales de la siguiente generación, en las aplicaciones de juegos, teléfonos móviles, proyectores y otras aplicaciones relacionadas con despliegue de imágenes que requieren transferencia a alta velocidad de grandes volúmenes de información. Toshiba planea aplicar esta tecnología a su proceso líder de sistema LSI de 65nm, y satisfacer la demanda del mercado para aplicaciones de gráficos avanzados a través del lanzamiento de la integración de SoC con la nueva memoria DRAM.

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IMS Colombia

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